電子半導(dǎo)體
在等離子體蝕刻處理過(guò)程中,等離子體反應(yīng)室的部件表面會(huì)暴露在等離子體蝕刻氣體中,被腐蝕,造成污染。而石墨在離子轟擊或等離子等極限工作條件下,不易受腐蝕,可用于等離子蝕刻設(shè)備部件,如石墨電極。
外延工藝是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料,外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si),也可以是異質(zhì)外延層 (SiGe/Si 或 SiC/Si 等)。在硅和碳化硅的外延工藝中,晶片承載在石墨盤(pán)上,有桶式、煎餅式和單晶片石墨盤(pán)。石墨盤(pán)的性能和質(zhì)量對(duì)晶片的外延層的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。
用于生長(zhǎng)半導(dǎo)體晶體的所有工藝都在高溫、侵蝕性環(huán)境下運(yùn)行,晶體生長(zhǎng)爐的熱區(qū)通常配備耐熱和耐腐蝕的高純度石墨部件,如加熱器、坩堝、石墨保溫筒、導(dǎo)流筒等。
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